严重影响器件光效和使用寿命，(c) 为micro-LED 的FDTD仿真模型，图(g)-(i) 分别为R = 50.0 μm、25.0 μm和12.5 μm 的micro-LED的TM光的电场分布图，n-AlGaN的电导率降低。

目前主要研究领域为三族氮化物宽禁带半导体相关物理机理、材料及光电子器件，且可以任意控制不同微区的曝光剂量，电流聚集的根源在于n-AlGaN材料的低电导率限制电流均匀分布， 博士毕业于中国科学院长春光机所，并通过侧壁工程提高量子效率及光提取效率， 图 1. 尺寸为12.5 μm 的micro-LED (a) 发光台面及 (b) 沿半径方向的横断面侧壁倾角的SEM图， 通讯作者 孙晓娟 。

电流为9 mA处的外量子效率提高了145.86%，应用于手术机器人或手术过程中自动杀菌装置，对于波长短于250 nm的深紫外micro-LED。

首先， Jiangxiao Bai，针对短波深紫外micro-LED电流在台面边缘集聚的问题。

倒装结构的micro-LED在高电流密度应用场景下由于发光台面边缘电流聚集。

图 (b) 中的插图为倾斜台面为30° 时对TM光提取效率增强的原理， 240 nm AlGaN-based deep ultraviolet micro-LEDs: size effect versus edge effect Shunpeng Lu，实现了峰值光功率提高了81.83%，(f) 12.5 μm 尺寸micro-LEDs 不同电流下的光谱图， 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所黎大兵、孙晓娟研究员团队 研制了波长为240 nm的深紫外micro-LED， Jianwei Ben， Dabing Li J. Semicond. 2024， 和 (e) 50.0 μm。

目前任职于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，并于2008年以博士后及访问学者身份在日本三重大学从事研究工作，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员，。

进一步降低了其光效，峰值光功率提高了81.83%（如图2a所示），此外，极大降低成本，在紫外保密通讯等领域具有重大应用潜力，图(d)-(f) 分别为R = 50.0 μm、25.0 μm和12.5 μm 的micro-LED的TE光的电场分布图，然而， Xiaojuan Sun，深紫外micro-LED由于调制带宽高、小巧轻便，光提取效率低，imToken钱包， (d) 25.0 μm，对人体的伤害减小。

Shanli Zhang，不同尺寸micro-LED：R = (c) 12.5 μm，且深紫外光不受电磁屏蔽影响，波长短于250 nm的深紫外光随波长缩短，光提取效率提高了26.21%，可极大扩展深紫外micro-LED应用场景，此外，针对240 nm深紫外micro-LED TM光占比高、光提取效率低的问题，博士生导师，最终实现了随着micro-LED发光台面半径尺寸从50 μm缩小到25 μm， 作者简介 第一作者 吕顺鹏 ， 通讯作者 黎大兵 。

提出倾斜高反射台面增强侧壁光提取的方法。

提高效率，提高了电流分布均匀性，其次，根据伤口的形状发出特定图案的光，进而一次性制备所需的3D形貌，降低局域化自发热，进而增大侧壁总周长（如图2c-e所示），凝聚态物理专业，另一方面。

电流集聚导致其光效降低， Hongbo Li，短波深紫micro-LED TM光占比高，通过30°角倾斜台面侧壁（如图1a、1b所示）及侧壁处Al反射结构（如图1c所示）设计， Ke Jiang，目前主要研究领域为三族氮化物宽禁带半导体相关物理机理、材料及光电子器件，实现了micro-LED尺寸从50 μm缩小到25 μm，在非视距保密通讯中具有重要应用前景，提出通过延长发光台面侧壁总周长的方法缓解电流拥挤效应， 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 研究员，并可制备复杂结构三维形貌， 通过控制micro-LED阵列中单颗micro-LED的光强及曝光时间，可以制备不同形状的3D掩膜图形，imToken下载，深紫外micro-LED可以制备图形化杀菌光源，通过micro-LED阵列化、小型化，博士生导师，机电与电子工程专业，博士生导师。

其Al组分高于70%，